Die vollautomatische umweltfreundliche Ultraschallreinigungsanlage JTW-90360AD mit 9 Kammern wurde speziell für die Nass-Präzisionsreinigung von Wafern und Siliziumchips in der Halbleiterindustrie entwickelt. Mit einem Zweifrequenz-Ultraschallsystem von 40KHz-80KHz integriert sie Ultraschall-Rotationsreinigung, Reinigung mit Oszillationsbewegung und Heißlufttrocknung. Die Temperatur lässt sich von Umgebungstemperatur bis 100℃ einstellen. Kombinierte Rotations- und Oszillationsbewegungen verstärken die Flüssigkeitsbewegung. Zusammen mit stabiler Ultraschallkavitation entfernt die Anlage Fotolackreste, Mikropartikel, organische Verunreinigungen und metallische Fremdstoffe effizient von Waferoberflächen. Sie reduziert das erneute Anhaften von Partikeln erheblich und verhindert Kratzer auf dem Substrat, Wasserflecken sowie weitere Defekte. Die Anlage verfügt über eine automatische Portalhandhabung mit 9 Stationen, Gesamtabmessungen von 9.5M1.8M2.7M, eine Gesamtleistung von 180KW und ein Nettogewicht von 5000kg. Eine Chemikalienfiltration im geschlossenen Kreislauf und zentrale Systeme zur Abgas- und Abflüssigkeitsbehandlung ermöglichen eine umweltfreundliche Produktion und reduzieren den Chemikalienverbrauch. Durch ihre auf hohe Reinheit ausgelegte Schutzkonstruktion wird sie für die Serienreinigung von Siliziumwafern, Siliziumkarbidchips, Saphirsubstraten und anderen Halbleitermaterialien eingesetzt. Sie erfüllt die sehr hohen Sauberkeitsanforderungen beim Ätzen, Beschichten, Packaging und weiteren Front-End-Prozessen der Halbleiterfertigung.