Vollautomatisches Ultraschallreinigungssystem für Halbleiterwafer

Das vollautomatische Ultraschallreinigungssystem JTM-10720AD mit 10 Wannen wurde speziell für die Reinigung von Halbleiterwafern entwickelt. Es arbeitet mit einer Ultraschallfrequenz von 40KHz und bietet eine von Umgebungstemperatur bis 100℃ einstellbare Temperatur zur Anpassung an unterschiedliche Wafermaterialien und Verunreinigungen. Die stabile, gleichmäßige Ultraschallkavitation entfernt effizient organische Rückstände, Mikropartikel, metallionische Verunreinigungen und anhaftende Bearbeitungsrückstände von Waferoberflächen und vermeidet dabei Oberflächenkratzer, erneute Partikelanlagerung und Kreuzkontamination. Die Anlage verfügt über einen automatischen Portaltransport über 10 Stationen, Gesamtabmessungen von 12M2M2.6M, eine Gesamtleistung von 100KW und ein Nettogewicht von 5000kg. Hochreine, korrosionsbeständige Werkstoffe, eine präzise Umlauffiltration und eine konstante Temperaturregelung gewährleisten einen stabilen Betrieb und einen hohen Sauberkeitsstandard. Das System wird vielfach zur nasschemischen Präzisionsreinigung von Siliziumwafern, Siliziumkarbidwafern, Saphirsubstraten und weiteren Halbleitermaterialien eingesetzt und erfüllt die strengen Anforderungen an höchste Reinheit beim Ätzen, Beschichten, Packaging und weiteren Front-End-Prozessen der Halbleiterfertigung.