Reinigungsanlage für Halbleiterwafer

Die vollautomatische Halbleiterwafer-Reinigungsanlage JTM-100504AD mit 10 Wannen wurde für die hochpräzise Reinigung von Halbleiterwafern entwickelt. Ausgestattet mit einem Zweifrequenz-Ultraschallsystem mit 40kHz–80kHz integriert sie alkalische Ultraschallreinigung, saure Ultraschallreinigung und mehrstufiges Spülen mit deionisiertem Wasser bei einer maximalen Reinigungstemperatur von 60℃. Sie entfernt effizient Fotolackreste, Partikelverunreinigungen, metallische Verunreinigungen, organische Fette und anorganische Oxide von Waferoberflächen. Dabei verhindert sie Mikroschäden, erneute Partikelanlagerung und Kreuzkontamination, um höchste Oberflächensauberkeit und Ebenheit zu gewährleisten. Die Anlage mit 10 Wannenstationen und automatischem Portaltransport hat Gesamtabmessungen von 12M2M2.8M, eine Gesamtleistung von 120KW und ein Nettogewicht von 5000kg. Sie ist korrosionsbeständig und hermetisch abgedichtet ausgeführt und verfügt über eine präzise Temperaturregelung sowie eine hocheffiziente Umlauffiltration. Sie eignet sich zur Nassreinigung von Siliziumwafern, SiC-Wafern, Saphirwafern und weiteren Halbleitersubstraten, erfüllt die strengen Sauberkeitsvorgaben der Front-End-Halbleiterprozesse und bietet eine zuverlässige Vorbehandlung für Beschichtung, Ätzen, Bonden und weitere zentrale Fertigungsschritte.