In der Halbleiterfertigung und MEMS-Prozessierung entscheidet die Wahl zwischen einem 950-kHz-Megaschallreiniger (950-kHz-Megaschall-Reinigungsschwinger) und einer mehrstufigen 28/40/80/120-kHz-Halbleiter-Wafer-Reinigungsanlage (Reinigungsanlage für Halbleiterwafer, Vollautomatisches Ultraschallreinigungssystem für Halbleiterwafer, Vollautomatische umweltfreundliche Ultraschallreinigungsanlage für Wafer und Siliziumchips) über die schädigungsfreie Partikelentfernung im Submikrometerbereich.
1. Akustische Strömung bei 950 kHz vs. Kavitation bei 28–120 kHz
Während 28 kHz und 40 kHz starke transiente Kavitation für Wafer-Carrier und Edelstahl-Ventilkörper (Manuelle Anlage zum EP-Elektropolieren, Passivieren und Reinigen von Halbleiter-Ventilgehäusen) erzeugen und 80/120 kHz feine Mikrokavitation liefern, arbeitet unser 950-kHz-Megaschallschwinger (Z4A95012-B mit 120 W, Z8B95024-B mit 240 W, Z16B95048-B mit 480 W) mit hochfrequenter Schlichting-Strömung zur Entfernung von Partikeln ab 0,15 μm ohne Strukturbeschädigung.
2. Technische Spezifikationen der Jietai Halbleiter-Reinigungsanlagen
| Model | Equipment Configuration | Frequency / Power | Tank / System Dimensions | Primary Semiconductor Application |
|---|---|---|---|---|
| Z4A95012-B / Z8B95024-B / Z16B95048-B | 950-kHz-Megaschall-Reinigungsschwinger | 950 kHz ± 25 kHz / 120 W, 240 W, 480 W | 45×45 / 72×45 / 126×45 mm | Sub-0.2 μm particle removal on silicon wafers & photomasks |
| JTM-100504AD | Reinigungsanlage für Halbleiterwafer | 28 / 40 / 80 / 120 kHz / 25.2 kW ultrasonic | 10-tank PLC gantry (650×550×400 mm tanks) | Multi-stage silicon wafer cassette cleaning & DI rinse |
| JTM-10720AD | Vollautomatisches Ultraschallreinigungssystem für Halbleiterwafer | 28 / 40 / 80 / 120 kHz / 36 kW ultrasonic | 10-tank automatic line (800×600×500 mm) | High-throughput wafer boat & quartz carrier wet bench |
| JTW-90360AD | Vollautomatische umweltfreundliche Ultraschallreinigungsanlage für Wafer und Siliziumchips | 28 / 40 / 80 / 120 kHz / 18 kW ultrasonic | 9-tank eco-friendly wafer line | Silicon chip degreasing, cascade DI water rinsing & HEPA drying |
| JTW-4096AD | Vollautomatisches explosionsgeschütztes Ultraschallreinigungssystem | 28 / 40 kHz / 4.8 kW (Ex d IIB T4) | 4-tank explosion-proof IPA system | Isopropyl alcohol (IPA) solvent cleaning & vapor drying |
| JTM-30960FD | Manuelle Anlage zum EP-Elektropolieren, Passivieren und Reinigen von Halbleiter-Ventilgehäusen | 28 / 40 kHz / 48 kW ultrasonic | Multi-stage EP + passivation + DI rinse | Semiconductor UHP stainless steel valve body electropolishing |
3. Explosionsgeschützte IPA-Anlagen, Elektropolieren (EP) & Reinstwasser (RO+EDI)
Für lösungsmittelbasierte IPA-Prozesse liefert Jietai das explosionsgeschützte System Vollautomatisches explosionsgeschütztes Ultraschallreinigungssystem (JTW-4096AD) sowie das Sprüh- und Trocknungssystem 3-Kammer-Sprüh- und Trocknungssystem (JTM-30120AD) in Kombination mit unserer 1 Ton Reinstwassersystem mit zweistufiger Umkehrosmose + EDI (JTC-1TRO).
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
Was unterscheidet die 950-kHz-Megaschallreinigung von 120-kHz-Ultraschall?
950 kHz Megaschall reduziert die akustische Grenzschicht auf ca. 0,8 μm und löst Submikron-Partikel durch gerichtete akustische Strömung statt durch implodierende Kavitationsblasen.
Welche Leistungen bieten die Jietai 950-kHz-Megaschallschwinger?
Die Baureihe umfasst Z4A95012-B (120 W, 45×45 mm), Z8B95024-B (240 W, 72×45 mm) und Z16B95048-B (480 W, 126×45 mm) mit FKM-Fluorkautschukdichtung.
Wie werden Wasserflecken auf Siliziumwafern verhindert?
Durch Kaskadenspülung mit zweistufigem RO+EDI-Reinstwasser (JTC-1TRO) und anschließende HEPA-Heißluft- oder IPA-Trocknung.